[发明专利]一种蓝宝石刻蚀方法在审
| 申请号： | 201911367076.7 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111180331A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 王晓慧;李志;席庆男;许南发 | 申请（专利权）人： | 山东元旭光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;G03F7/00;G03F7/16 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人： | 杨筠 |
| 地址： | 261000 山东省潍坊市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及蓝宝石刻蚀技术领域，提供一种蓝宝石刻蚀方法，利用光刻技术和压印技术制作一次掩模图形，通过一次干法刻蚀蓝宝石，得到初级结构的蓝宝石衬底图形；利用光刻技术和压印技术再制作一次掩模图形，再通过一次干法刻蚀得到的初级结构的蓝宝石衬底图形，得到二级结构的蓝宝石衬底图形；反复执行上述两个步骤，制作多种不规则蓝宝石图形，从而实现对传统工艺中利用两次光刻实现套刻的改进，提高了套刻精度，改变了产品的固有周期，并实现调整图形形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蓝宝石 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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