[发明专利]SiC晶片制造方法在审
| 申请号： | 201911367656.6 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111215766A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 陈蛟;宋华平;杨军伟;简基康;王文军;陈小龙 | 申请（专利权）人： | 松山湖材料实验室 |
| 主分类号： | B23K26/50 | 分类号： | B23K26/50;B23K26/70 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 袁燕清 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC晶片制造方法，其包括如下步骤：(1)预备SiC晶锭；(2)设置激光辐射路径；(3)提供气源；(4)分离。本发明提供的方法步骤简洁，易于实现，合理设置由外而内的激光辐射路径，为气体的进入提供及时、有效地通道；在SiC晶锭被激光辐照时，引入气体发生器，为副产物的移除提供源源不断的气体式动力和反应气源，有效加速SiC分离层的激光烧蚀与分解，同时气体与副产物中的碳等化学反应以及配合物理吹扫移除副产物，避免出现已分解产物重新结晶滞留以及已分解产物阻碍激光再烧蚀分离层的现象，实现SiC晶片快速从SiC晶锭中分离出来。 | ||
| 搜索关键词： | sic 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
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