[发明专利]一种深紫外半导体激光器的外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201911367751.6 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111129954B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 乔忠良;赵志斌;李再金;任永学;李林;曲轶 | 申请（专利权）人： | 海南师范大学 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/30;H01S5/323;C23C14/06;C23C14/22;C23C14/28 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 赵徐平 |
| 地址： | 571158 *** | 国省代码： | 海南;46 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深紫外半导体激光器的外延结构，包括：衬底，所述衬底为单晶N型衬底；在所述衬底上表面依次生长的N型过渡层、N型下限制层、下波导层、下势垒层、量子阱层、上势垒层、上波导层、P型上限制层及P型重掺杂层；在所述P型重掺杂层上表面制备的P面电极；及在所述N型衬底下表面制备的N面电极。本发明中的结构使得半导体激光器可以具有一定输出功率，使得半导体激光器具有较高的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 半导体激光器 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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