[发明专利]硅基可调光衰减器及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201911367770.9 申请日: 2019-12-26
公开(公告)号: CN113050302A 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 周扬 申请(专利权)人: 中兴光电子技术有限公司
主分类号: G02F1/015 分类号: G02F1/015
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 黄广龙
地址: 210012 江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种硅基可调光衰减器,包括:脊波导、非掺杂区、第一P型掺杂区域、第一N型掺杂区、第二P型掺杂区、第二N型掺杂区;脊波导设置于所述非掺杂区一侧的表面上;第一P型掺杂区、第一N型掺杂区分别设置于所述脊波导两侧;第二P型掺杂区、第二N型掺杂区分别设置于脊波导两侧;第二N型掺杂区与第一P型掺杂区同侧设置;第二P型掺杂区与第一N型掺杂区同侧设置;第一P型掺杂区与第二N型掺杂区电性连接;第一N型掺杂区与第二P型掺杂区电性连接。本发明还公开了一种硅基可调光衰减器的制作方法。通过本发明提供得硅基可调光衰减器及其制作方法,可以显著提高硅基可调节光衰减器的防静电等级。
搜索关键词: 硅基可 调光 衰减器 及其 制作方法
【主权项】:
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