[发明专利]硅基可调光衰减器及其制作方法在审
申请号: | 201911367770.9 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN113050302A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 周扬 | 申请(专利权)人: | 中兴光电子技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/015 | 分类号: | G02F1/015 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 黄广龙 |
地址: | 210012 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种硅基可调光衰减器,包括:脊波导、非掺杂区、第一P型掺杂区域、第一N型掺杂区、第二P型掺杂区、第二N型掺杂区;脊波导设置于所述非掺杂区一侧的表面上;第一P型掺杂区、第一N型掺杂区分别设置于所述脊波导两侧;第二P型掺杂区、第二N型掺杂区分别设置于脊波导两侧;第二N型掺杂区与第一P型掺杂区同侧设置;第二P型掺杂区与第一N型掺杂区同侧设置;第一P型掺杂区与第二N型掺杂区电性连接;第一N型掺杂区与第二P型掺杂区电性连接。本发明还公开了一种硅基可调光衰减器的制作方法。通过本发明提供得硅基可调光衰减器及其制作方法,可以显著提高硅基可调节光衰减器的防静电等级。 | ||
搜索关键词: | 硅基可 调光 衰减器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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