[发明专利]一种带有温度补偿的欠压保护电路在审

专利信息
申请号: 201911367952.6 申请日: 2019-12-26
公开(公告)号: CN110932229A 公开(公告)日: 2020-03-27
发明(设计)人: 罗寅;沈志伟;谭在超;丁国华;张胜 申请(专利权)人: 苏州锴威特半导体股份有限公司
主分类号: H02H3/24 分类号: H02H3/24
代理公司: 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人: 叶倩
地址: 215600 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种带有温度补偿的欠压保护电路,包括二极管、齐纳管、第一至第四电阻、第一至第五MOS管、反相器,二极管的正极接电源,二极管的负极接齐纳管的负极,齐纳管的正极接第一电阻,第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一MOS管和反相器构成常规的欠压保护电路,第四电阻、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管构成对常规欠压保护电路的温度补偿电路,第五MOS管的栅极连接反相器的输出端。通过温度补偿电路对常规的欠压保护电路中的电阻和MOS管温度系数所带来的阈值变化,实现成本低,温度补偿效果明显,可极大改善温度带来的阈值点的变化。
搜索关键词: 一种 带有 温度 补偿 保护 电路
【主权项】:
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