[发明专利]一种钝化接触P型电池的制备方法有效
申请号: | 201911368196.9 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN111048625B | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 王钊;张昕宇;杨洁;郑霈霆;孙海杰;朱思敏;陈石 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 刘新雷 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种钝化接触P型电池的制备方法,通过设置两层N+POLY结构,在通过选择性刻蚀的方式,在刻蚀区形成非金属覆盖区保留第一N+POLY结构,金属覆盖区保留在第一N+POLY结构、第二N+POLY结构,替换现有的单纯的氮化硅钝化,极大的降低电池正面的表面复合,使得其正面复合电流大幅下降,从而使得电池的开路电压得到明显提升,提高电池的效率以及电池的性能,而且采用现有的设备即可完成所有工艺,无需添加新的设备,增加的电池成本较少。 | ||
搜索关键词: | 一种 钝化 接触 电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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