[发明专利]紫外光电探测器及其制备方法在审
申请号: | 201911369947.9 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN111129225A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 陈显平;黄业雄;喻佳兵;郑凯;张枫 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/09;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 尚志峰;王淑梅 |
地址: | 400044 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明提出了一种紫外光电探测器及其制备方法,其中,紫外光电探测器包括:衬底层;光敏层,设置在衬底层上;纳米铝阵列层,设置在光敏层上,覆盖光敏层的部分区域;其中,纳米铝阵列层包括:多个纳米铝块,多个纳米铝块以矩形阵列的形式设置在光敏层上;和/或多个铝纳米颗粒,多个铝纳米颗粒以矩形阵列的形式设置在光敏层上。本发明提供的紫外光电探测器,纳米铝阵列层通过阵列设置的铝纳米颗粒和/或纳米铝块,利用纳米铝结构的等离子体共振作用能够增强光敏层对检测波长的吸收。纳米铝的等离子体共振峰可以达到紫外区与光敏层共同作用,提高了本发明紫外光电探测器的响应度,在深紫外光的条件下,提高了本发明紫外光电探测器的探测性能。 | ||
搜索关键词: | 紫外 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的