[发明专利]一种深紫外垂直腔半导体激光器外延结构及制备方法有效
| 申请号： | 201911370015.6 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111064075B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 乔忠良;赵志斌;李再金;任永学;李林;曲轶 | 申请（专利权）人： | 海南师范大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 赵徐平 |
| 地址： | 571158 *** | 国省代码： | 海南;46 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深紫外垂直腔半导体激光器的外延结构，包括：衬底，衬底为N型衬底；在衬底上表面依次生长的N型过渡层、下DBR反射镜层、下波导层、下势垒层、量子阱层、上势垒层、上波导层、上DBR反射镜层及P型重掺杂层；在P型重掺杂层上表面设置的P面电极；及在衬底下表面设置的N面电极。本发明中的激光器光‑电转化率高，还具有窄的光谱宽度、高功率，高的工作稳定性，可靠性好的优点，且结构简单、体积小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 垂直 半导体激光器 外延 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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