[发明专利]一种P型钝化接触电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种P型钝化接触电池的制备方法，包括：步骤1，对制绒后的硅片正面依次制备遂穿氧化层和本征非晶硅层；步骤2，对所述本征非晶硅层进行退火处理；步骤3，刻蚀所述硅片指定区域的所述本征非晶硅层形成金属覆盖区，用于制作选择性发射极；步骤4，对所述本征非晶硅层进行磷掺杂，形成磷硅玻璃层，所述磷硅玻璃层与所述遂穿氧化层构成TopCon结构。通过在电池结构正面采用由隧穿氧化硅层与掺杂磷的非晶硅层组成的TopCon结构钝化技术，代替现有单纯的氮化硅表面钝化，极大的降低电池正面表面复合，由于该结构非常薄，在解决硅片光吸收的同时，提高电池的正面钝化，提升电池的性能。