[发明专利]用于具有单光子雪崩二极管像素的半导体器件的改进微透镜在审
申请号: | 201911370881.5 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN111697014A | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | M·A·苏弗里德格;李秉熙;U·博提格 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明题为“用于具有单光子雪崩二极管像素的半导体器件的改进微透镜”。本发明公开了一种成像设备,其可以包括多个单光子雪崩二极管(SPAD)像素。该SPAD像素可以与方形曲面微透镜重叠以将入射在像素上的光引导到像素的光敏区域上。方形曲面微透镜可以被形成为与每个其他SPAD像素对准的第一组和第二组微透镜,并且可以允许在相邻透镜之间没有间隙的情况下形成方形曲面微透镜。除此之外或另选地,每个方形曲面微透镜的中心部分可以由填充微透镜填充。方形曲面微透镜和填充微透镜可以一起在每个SPAD像素上方形成凸形微透镜。形成填充微透镜的材料具有比形成方形曲面微透镜的材料更高的折射率。 | ||
搜索关键词: | 用于 具有 光子 雪崩 二极管 像素 半导体器件 改进 透镜 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的