[发明专利]Micro LED的转移方法在审
| 申请号： | 201911371905.9 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111128843A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 樊勇 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/62;H01L25/16 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 吕姝娟 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种Micro LED的转移方法，包括：提供阵列基板，阵列基板一侧设置有粘结层，阵列基板的像素区包括多个薄膜晶体管；将转移板转移至阵列基板上方，转移板靠近粘结层的一侧设置有层叠的缓冲层和芯片层，芯片层包括阵列分布的多个Micro LED芯片，且数量大于薄膜晶体管的数量，Micro LED芯片包括第一Micro LED芯片，第一Micro LED芯片的第一电极与薄膜晶体管的第二电极对应；将掩膜版转移至转移板远离阵列基板的一侧，掩膜版的开口区与第一Micro LED芯片对应；通过掩膜版对转移板进行激光扫描，将第一Micro LED芯片从缓冲层剥离至粘结层上；将第一Micro LED芯片的第一电极与薄膜晶体管的第二电极电性连接。本发明简化了转移工序，提高了转移良率。 | ||
| 搜索关键词： | micro led 转移 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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