[发明专利]一种氧化钛薄膜忆阻器制备方法在审
| 申请号： | 201911373342.7 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN110993788A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 周梨;钟志亲;王姝娅 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种氧化钛薄膜忆阻器制备方法，属于非挥发存储器领域。该忆阻器的特征在于：从下至上依次为硅衬底，绝缘层，底电极，阻变层以及顶电极。其中阻变层材料采用氧化钛薄膜，底电极材料采用钛，顶电极材料采用铂。制备出的氧化钛薄膜能够使器件的开关比较高，高低阻态更加稳定，薄膜之间的应力减小。本发明可切实应用于未来的新型非挥发存储器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 薄膜 忆阻器 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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