[发明专利]超级结的制造方法在审
| 申请号： | 201911373592.0 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111129117A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 杨继业;李昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级结的制造方法，包括步骤：步骤一、在具有第一导电类型的半导体衬底上形成多个侧面倾斜的沟槽，在沟槽的深度范围内的半导体衬底的掺杂浓度均匀；步骤二、在沟槽中填充具有第二导电类型的第一外延层；沟槽填充工艺设置为：随着外延生长的时间增加，第二导电类型的在位掺杂的浓度逐渐减少，以补偿沟槽的宽度从底部到顶部逐渐增加对各纵向位置的第二导电类型掺杂总量的影响。本发明能采用侧面倾斜的沟槽且能通过沟槽填充工艺来补偿由于侧面倾斜的沟槽对电荷匹配的影响，从而能提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 制造 方法 | ||
【主权项】：
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