[发明专利]一种可优化表面平整度的氮化铝单晶薄膜制备方法有效
| 申请号： | 201911373618.1 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111005072B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 陈贵锋;谢路肖;张辉;张银;解新建;刘国栋 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/18 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 万尾甜;韩介梅 |
| 地址： | 300401 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体薄膜材料技术领域，公开了一种可优化表面平整度的氮化铝单晶薄膜制备方法，该方法是以氮气为氮源，以铝颗粒作为铝源，在异质衬底上基于特制装置制得，整个制备过程分为五个阶段：首先控制源区和生长区同时加热至400～500℃，保温10～20分钟，接着控制源区温度升至1100～1400℃，生长区温度保持，保温10～20分钟，紧接着控制生长区温度升至1100～1200℃，源区温度不变，保温生长5～10分钟，紧接着源区温度1300～1400℃，生长区升温至1350～1550℃，保温1～3小时，各过程中调控氩气、氮气的通入比例，最后关闭氩气，冷却至室温后取出样品。本发明的方法生长氮化铝单晶薄膜不仅结晶质量高，表面较为平整且可获得自支撑薄膜，而且还具有成本低、生长速度快、无危险气体、绿色环保等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 表面 平整 氮化 铝单晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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