[发明专利]用于极紫外光微影的薄膜以及其制造方法在审
| 申请号： | 201911374751.9 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN112563123A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 南基守;李昌焄;尹钟源;朴铁均 | 申请（专利权）人： | 思而施技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 韩国大邱广*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开一种用于极紫外光(EUV)微影的薄膜以及其制造方法，所述薄膜具有形成于薄膜框架上的核心层，所述核心层包括：第一层；以及第二层。所述第一层包含硅。所述第二层包含具有硅及金属的金属硅化物、具有硅及轻元素的硅化合物、以及具有硅以及金属及轻元素的金属硅化物化合物中的一者。藉此，所述薄膜在光学特性损失最小的情况下在机械、热及化学稳定性方面得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 紫外光 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
