[发明专利]一种芯片制备方法与待剥离芯片结构有效

专利信息
申请号: 201911375024.4 申请日: 2019-12-27
公开(公告)号: CN111048635B 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 张康;赵维;贺龙飞;何晨光;吴华龙;曾昭烩;廖乾光;陈志涛 申请(专利权)人: 广东省半导体产业技术研究院
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/12;H01L33/20
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 张欣欣
地址: 510000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提供了一种芯片制备方法与待剥离芯片结构,涉及半导体技术领域。首先提供一衬底,然后沿衬底制作掩膜层,其中,掩膜层包括凹陷区,凹陷区的底部露出衬底的表面,且凹陷区的底部宽度小于顶部宽度,再沿凹陷区内衬底的表面依次生长缓冲层、模板层以及芯片本体,最后腐蚀掩膜层与模板层,以获取目标芯片,其中,所述目标芯片包括芯片本体。本申请提供了一种芯片制备方法与待剥离芯片结构具有剥离芯片本体更加方便,且不会造成外延面积的浪费的优点。
搜索关键词: 一种 芯片 制备 方法 剥离 结构
【主权项】:
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