[发明专利]射频引入装置及半导体加工设备

摘要

本申请实施例提供了一种射频引入装置及半导体加工设备。该射频引入装置用于向位于半导体工艺炉内部的晶舟引入射频，包括：支撑机构、前射频机构及后射频机构；支撑机构包括支撑杆，且支撑杆的第一端与半导体工艺炉的炉口连接，支撑杆的第二端与半导体工艺炉的炉尾连接；前射频机构及后射频机构并列设置于支撑杆上，用于承载晶舟；前射频机构靠近支撑杆的第一端设置，后射频机构靠近支撑杆的第二端设置；前射频机构与晶舟的一端电连接，后射频机构与晶舟的另一端电连接。本申请实施例实现了对晶舟的射频进行双向引入，从而改变半导体工艺炉内晶舟正负极间的电流方向，进而改善了工艺的均匀性和钝化效果。