[发明专利]一种镧系氟化物多孔纳米片填充的混合基质膜及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 201911376528.8 申请日: 2019-12-27
公开(公告)号: CN111013409B 公开(公告)日: 2021-12-21
发明(设计)人: 张玉忠;马蔷;辛清萍;李泓;张磊涛 申请(专利权)人: 天津工业大学
主分类号: B01D71/52 分类号: B01D71/52;B01D67/00;B01D53/22
代理公司: 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 代理人: 王敏
地址: 300387 天津市*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种镧系氟化物二维多孔纳米片填充的混合基质膜,包括如下质量分数的组分:镧系氟化物二维多孔纳米片0.5%~30%,以及聚氧乙烯基高分子70%~99.5%;镧系氟化物二维多孔纳米片为分散相,聚氧乙烯基高分子为连续相。其中,镧系氟化物二维多孔纳米片是一种新型的纳米材料,将镧系氟化物二维多孔纳米片作为填充剂制备高分子‑无机混合基质膜,能够改善高分子‑无机混合基质膜的实际使用性能。
搜索关键词: 一种 氟化物 多孔 纳米 填充 混合 基质 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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