[发明专利]垂直型发光二极管在审
申请号: | 201911376837.5 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN112018220A | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 李俊熙 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/22;H01L33/44;H01L33/62 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 玉昌峰;李英艳 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种发光二极管,包括:支承基板;第一导电型半导体层;上绝缘层,位于第一导电型半导体层上;台面,包括活性层以及第二导电型半导体层,并位于第一导电型半导体层的一部分区域下方以使第一导电型半导体层的边缘暴露,台面包括使第一导电型半导体层暴露的第二贯通孔;第一电极,包括通过第一贯通孔而与第一导电型半导体层电接通的第一接触部以及通过第二贯通孔而与第一导电型半导体层电接通的第二接触部;第二电极,与第二导电型半导体层电接通;以及至少一个上电极焊盘,与第二电极接通,第一贯通孔布置在被台面的边缘围绕的区域内,各个第二贯通孔的一部分被活性层以及第二导电型半导体层围绕并沿着台面的边缘布置,上绝缘层包括多个物质层。 | ||
搜索关键词: | 垂直 发光二极管 | ||
【主权项】:
暂无信息
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