[发明专利]磁传感器装置有效

专利信息
申请号: 201911377452.0 申请日: 2019-12-27
公开(公告)号: CN111381197B 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 渡部司也;高桥宏和 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: G01R33/00 分类号: G01R33/00;G01R33/02;G01R33/07;G01R33/09;G01R33/14
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;王昊
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种磁传感器装置,其具备检测检测对象磁场的磁传感器和配置于其附近的软磁性结构体。将施加磁场强度和磁化对应值以正交的两个轴表示的正交坐标系中,当外部磁场的强度在上述预定的可变范围内变化时,表示施加磁场强度和磁化对应值的坐标在不与主磁滞回线连接的小磁滞回线上移动。在此,施加磁场强度是施加于软磁性结构体的磁场的强度,磁化对应值是与软磁性结构体的磁化的对应的值,主磁滞回线是使施加磁场强度变化时上述坐标的轨迹描绘的回线中、由该回线包围的区域的面积最大的回线。
搜索关键词: 传感器 装置
【主权项】:
暂无信息
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