[发明专利]一种Fanout信号线提取电容的方法有效
申请号: | 201911377748.2 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN111079359B | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 童振霄;李相启;陆涛涛;刘伟平 | 申请(专利权)人: | 成都华大九天科技有限公司 |
主分类号: | G06F30/3308 | 分类号: | G06F30/3308;G06F30/398 |
代理公司: | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人: | 王金双 |
地址: | 610200 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种Fanout信号线提取电容的方法,包括以下步骤:1)划分信号线的电容模拟区域为多个子区域单元;2)标记与所述信号线重叠的所述子区域单元;3)合并并扩展所述子区域单元,完成子电容模拟区域的划分;4)分区域并行提取所述子电容模拟区域的电容值。本发明的Fanout信号线提取电容的方法,能够在每个划分的子区域并行地进行电容模拟,并且省略一些电容值较小的区域,这样可以大大缩短Fanout的电容模拟时间,提高平板显示设计效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 fanout 信号线 提取 电容 方法 | ||
【主权项】:
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