[发明专利]一种Fanout信号线提取电容的方法有效

专利信息
申请号: 201911377748.2 申请日: 2019-12-27
公开(公告)号: CN111079359B 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 童振霄;李相启;陆涛涛;刘伟平 申请(专利权)人: 成都华大九天科技有限公司
主分类号: G06F30/3308 分类号: G06F30/3308;G06F30/398
代理公司: 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 代理人: 王金双
地址: 610200 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种Fanout信号线提取电容的方法,包括以下步骤:1)划分信号线的电容模拟区域为多个子区域单元;2)标记与所述信号线重叠的所述子区域单元;3)合并并扩展所述子区域单元,完成子电容模拟区域的划分;4)分区域并行提取所述子电容模拟区域的电容值。本发明的Fanout信号线提取电容的方法,能够在每个划分的子区域并行地进行电容模拟,并且省略一些电容值较小的区域,这样可以大大缩短Fanout的电容模拟时间,提高平板显示设计效率。
搜索关键词: 一种 fanout 信号线 提取 电容 方法
【主权项】:
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