[发明专利]一种梯度铝硅封装外壳及其制作方法

摘要

本发明公开了一种梯度铝硅封装外壳，所述封装外壳包括封装底板和与封装底板共同形成装配电子元件的空腔的封装侧板，所述封装底板的厚度为2~5mm，所述封装底板以硅含量为50~70%、其余为铝的体积百分比制作而成；所述封装侧板根据硅含量的分布从下到上至少设有两层结构、且所述硅含量根据设置的层数呈梯度分布，且所述封装侧板最下层结构的含量低于所述封板底板的硅含量，所述封装侧板中最上层结构的厚度为2~5mm、且所述最上层结构的硅含量为24~28%。本发明将梯度铝硅材料应用到电子封装外壳中，借助梯度铝硅材料的各区域硅含量可设计调节的特性，使得封装外壳可以同时具备较低的底部热膨胀系数、高的整体抗拉强度和良好的封口激光可焊性。