[发明专利]一种半导体结构及其形成方法

摘要

本申请涉及半导体技术领域，具体地涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构用于图像传感器，包括：半导体衬底；隔离结构，位于所述半导体衬底内，所述隔离结构包括金属层和绝缘层，所述绝缘层包覆所述金属层的底部以及侧壁；遮光层，位于所述隔离结构上，所述遮光层包括金属格栅和保护层，其中，所述金属层与所述金属格栅一体化连接，所述保护层包覆所述金属格栅的侧壁以及顶部。本申请提供的一种半导体结构及其形成方法，在常规隔离结构中加入金属层，所述金属层可以对半导体衬底中的电子和空穴浓度进行有效地控制，且所述金属层和金属格栅可以同时制作出来，简化了工艺。