[发明专利]AlGaInP基发光二极管芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201911379222.8 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111180561B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 肖和平;朱迪;谭立龙;张炳伟;邢振远 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/42;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种AlGaInP基发光二极管芯片及其制作方法，涉及半导体技术领域。AlGaInP基发光二极管芯片包括P型电流扩展层和ITO透明导电层，ITO透明导电层包括设置在P型电流扩展层上的第一子层和设置在第一子层上的第二子层，第一子层的功函数大于第二子层，ITO透明导电层的载流子浓度沿ITO透明导电层的垂直生长方向逐渐升高；P型电流扩展层为P型GaP层，P型电流扩展层的厚度为80~100nm。该ITO透明导电层与P型电流扩展层之间可以形成良好的欧姆接触，提高电流的注入效率，从而可以减薄P型电流扩展层的厚度，降低P型电流扩展层对光的吸收，进一步提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | algainp 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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