[发明专利]一种高质量SiC单晶片及其制备方法有效
| 申请号： | 201911380293.X | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN113046825B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 娄艳芳;刘春俊;赵宁;彭同华;杨建 | 申请（专利权）人： | 北京天科合达半导体股份有限公司;北京天科合达新材料有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司;江苏天科合达半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B33/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 纪志超 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区中关村科技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高质量SiC单晶片，包括：所述SiC单晶片具有直径不小于100mm的单一晶型；所述SiC单晶片从室温升温到1450℃以上，翘曲度值小于100μm，弯曲度绝对值小于60μm。本发明还提供了一种高质量SiC单晶片的制备方法。本发明提供的SiC单晶片的制备方法包括优选高质量的籽晶、生长参数稳定精确可控，通过原位退火、一次退火，尽可能地消除晶体内部残余应力；在加工过程中，尽量保持硅、碳面相近的表面状况，并在加工初期对研磨片进行退火，以降低晶片内部应力。因此，本发明提供的SiC单晶片的制备方法能够获得高温下具有良好面型参数的高质量SiC单晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 sic 晶片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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