[发明专利]一种高均匀性导电硅靶材制备工艺在审
| 申请号： | 201911380867.3 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111074191A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 蔺裕平;韩刚库 | 申请（专利权）人： | 梭莱镀膜工业(江阴)有限公司 |
| 主分类号： | C23C4/04 | 分类号： | C23C4/04;C23C4/134;C23C4/137 |
| 代理公司： | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人： | 王凯 |
| 地址： | 214437 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明一种高均匀性导电硅靶材制备工艺，步骤一：备料：按照硼浓度含量为20～200ppm的配比放入高纯硅粉和硼粉；步骤二：研磨：使用机械球磨机对步骤一种的混合料进行球磨；步骤三：喷雾造粒：将步骤二研磨后的粒度为1～10um的粉末导入喷雾造粒干燥机进行造粒，获得粒度为40～160um的球形磨粉；步骤四：真空喷涂：将步骤三获取的球形磨粉在低真空环境下利用等离子喷涂方式喷涂在靶材基材表面。本发明一种高均匀性导电硅靶材制备工艺，其有效的提高了靶材的质量，且降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 均匀 导电 硅靶材 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法，例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C4-02 .待镀材料的预处理，例如为了在选定的表面区域镀覆
C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
C23C4-14 ..用于长形材料的镀覆
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