[发明专利]一种具有受晶格对称性保护零能隙的自旋零能隙半导体材料及制备方法有效
| 申请号： | 201911381213.2 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111115588B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 王立英;王悦 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;C01G37/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300072 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种具有受晶格对称性保护零能隙的自旋零能隙半导体材料及制备方法；材料结构为d |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 晶格 对称性 保护 零能隙 自旋 半导体材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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