[发明专利]一种粗糙化硅柱阵列结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201911381913.1 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111122543A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 杨绍松;刘广强;毛海央;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡物联网创新中心有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 周卫赛 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明涉及有序阵列硅材料技术领域，具体涉及一种粗糙化硅柱阵列结构及其制备方法，粗糙化硅柱阵列包括硅衬底和硅衬底上均匀排列的粗糙化硅柱，形成粗糙化硅柱阵列结构；粗糙化硅柱阵列结构表面沉积金膜的厚度为20‑40nm；粗糙化硅柱包括硅基圆台和硅基圆台表面的粗糙化结构，每平方毫米的硅衬底上包括(0.8‑1.2)×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 粗糙 化硅柱 阵列 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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