[发明专利]一种光电探测器有效
申请号: | 201911382842.7 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN111129202B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 胡晓;肖希;王磊;陈代高;张宇光;李淼峰 | 申请(专利权)人: | 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/0232 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 李路遥;张颖玲 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 为解决现有光电探测器具有饱和吸收效应明显、响应度较低的问题,本申请实施例提供一种光电探测器,涉及光电探测器技术领域,所述光电探测器包括:硅层,所述硅层包括第一掺杂类型的掺杂区;与所述硅层接触的锗层,所述锗层包括第二掺杂类型的掺杂区;第一层波导,所述第一层波导包括设置在所述锗层上方的第一探测耦合区;第二层波导,所述第二层波导包括设置在所述锗层侧面的第二探测耦合区;其中,所述第一层波导和所述第二层波导用于传输光信号,所述第一层波导和所述第二层波导分别通过所述第一探测耦合区和所述第二探测耦合区将所述光信号耦合至所述锗层;所述锗层用于探测所述光信号,并将所述光信号转换为电信号。 | ||
搜索关键词: | 一种 光电 探测器 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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