[发明专利]一种均匀遂穿氧化层的制作方法及TopCon太阳能电池制备方法

摘要

本发明公开了一种均匀遂穿氧化层的制作方法及TopCon太阳能电池制备方法，均匀遂穿氧化层的制作方法包括：步骤1，将硅片置于ALD设备中，并将所述硅片所处的空间进行抽真空到预定值；步骤2，对所述硅片轮流输入第一反应气体和第二反应气体，在所述硅片表面形成二氧化硅氧化层；步骤3，判断所述硅片的所述氧化层沉积时间达到预定周期数；若是，步骤4，停止所述第一反应气体和/或第二反应气体；其中，所述预定周期数为在所述硅片表面预期沉积的二氧化硅氧化层的厚度与每个脉冲周期中形成的二氧化硅氧化层的厚度的比值。通过采用ALD设备进行遂穿氧化层的制备，将物质以单层原子膜的形式一层层沉积在基底上，使制备出隧穿氧化层均匀且厚度适中。