[发明专利]基于热胀冷缩的光刻方法在审
| 申请号： | 201911387267.X | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN110989299A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 刘立拓;周维虎;吴晓斌;王宇;陈晓梅;石俊凯;黎尧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种基于热胀冷缩的光刻方法，该方法包括在晶圆上涂覆热敏光刻胶；将涂覆好热敏光刻胶的晶圆升温后光刻；将光刻后的晶圆降温后曝光，即完成所述光刻。本发明不同于传统光刻依赖波长缩短来提高分辨率，它通过温控来实现分辨率提高，克服了当前传统光刻依赖光源波长缩短而造成的技术困难，为集成电路制造节点的进一步缩小提供了一种新方法；该方法操作简单，所需温度控制设备技术较成熟，成本低，这大大降低了进一步提高光刻分辨率而带来的成本增加。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 热胀冷缩 光刻 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911387267.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
