[发明专利]半导体芯片封装结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201911387521.6 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN113130412A 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 徐罕;陈彦亨;吴政达;林正忠;高建章 申请(专利权)人: 盛合晶微半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/29;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/56
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 214437 江苏省无锡市江阴市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种半导体芯片封装结构及其制备方法。制备方法包括:提供半导体衬底,半导体衬底内形成有若干个半导体芯片;形成导电柱,导电柱与半导体芯片电连接;形成沟槽,沟槽位于各半导体芯片之间,且环绕各半导体芯片;形成环氧树脂层,环氧树脂层将半导体芯片及导电柱塑封且填满沟槽,导电柱暴露于环氧树脂层的上表面;形成聚合树脂层;于聚合树脂层内形成开口,开口暴露出导电柱;形成凸块下金属层;形成焊球;对半导体衬底的下表面进行减薄直至暴露出环氧树脂层;于半导体衬底和环氧树脂层的下表面形成保护膜;进行切割以得到多个相互独立的半导体芯片封装结构。本发明有助于减少器件尺寸、降低器件功耗及延长器件使用寿命。
搜索关键词: 半导体 芯片 封装 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
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