[发明专利]一种柔性薄膜晶体管制备方法在审
| 申请号： | 201911388589.6 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111048421A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 杨帆;王超;高晓红;王欢;闫兴振;初学峰;吕卅;杨佳;周路;王艳杰;赵春雷;迟耀丹;杨小天 | 申请（专利权）人： | 吉林建筑大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/423;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 许小东 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开一种柔性薄膜晶体管制备方法，包括如下过程：取直径为50～2000μm的多个金属丝，清洗烘干后依次进行绝缘层材料和有源层材料的沉积；依次经过浸光刻胶、烘干、一次曝光、显影、腐蚀，将腐蚀后的多个金属丝上剩余的光刻胶清洗掉，形成有源层沟道图形，再次进行清洗烘干；将多个金属丝再次浸过光刻胶后烘干；将多个金属丝通过第二光刻板进行均匀曝光，形成多个曝光部分；将曝光后的多个金属丝进行显影，所述多个曝光部分的光刻胶溶于显影液暴露出有源层，并进行清洗烘干；将多个金属丝沉积源漏电极，并进行清洗烘干；将多个金属丝进行退火，在金属丝上获得一维线型薄膜晶体管器件。本发明具有更好的柔韧性，更小的体积，适合用于深孔探测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
