[发明专利]一种硅片腐蚀过程中化学液温度恒温控制系统及工艺在审
| 申请号： | 201911390270.7 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN110957247A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 王海君;代玉超;李鲁 | 申请（专利权）人： | 麦斯克电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人： | 陈佳丽 |
| 地址： | 471000 河南省洛*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种硅片腐蚀过程中化学液温度恒温控制系统及工艺，涉及半导体材料生产技术领域，包括恒温槽、腐蚀槽、热水槽以及冷水槽，腐蚀槽所在位置高于恒温槽，恒温槽和腐蚀槽之间通过根管道连通，其中一根管道上设有化学液泵，用于从恒温槽向腐蚀槽输送化学液，另一根管道用于腐蚀槽内的化学液依靠重力流回恒温槽，恒温槽内设有温度调节管。本发明有益效果：通过控制恒温槽内化学液温度，经过化学液泵循环均匀搅拌，最终有效的保证腐蚀槽内的化学液各区间温度恒定，同时大大节省腐蚀槽的空间，充分利用腐蚀槽工作空间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 腐蚀 过程 化学 温度 恒温 控制系统 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
