[发明专利]一种Mark点图形及其制备方法在审
申请号: | 201911390785.7 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN111106199A | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 王建;马群东;蔡凯;吴利军 | 申请(专利权)人: | 横店集团东磁股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/18;B23K26/364;B41M1/12;B41M1/26;B41M5/00 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 322118 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明属于电池制备技术领域,公开了一种Mark点图形及其制备方法,该Mark点图形包括多个同心圆,每个圆的外廓均为虚线,且内外相邻的两个圆的虚实部分交错对应。该制备方法包括:S1、激光设备根据预设坐标在电池片表面的四角处各画出一个预设直径的基圆;S2、在基圆的基础上由内向外进行同心圆式填充或螺旋线式填充得到Mark点基础图形;S3、设置虚实比,并选中Mark点基础图形进行激光打标得到Mark点图形。能有效减少重叠打标的现象,从而减少Mark点区域的损伤,在后续工序中Mark点图形更容易被识别,减少报警次数,同时减少打标时间,提升产能。 | ||
搜索关键词: | 一种 mark 图形 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的