[发明专利]一种基于磁膜的隧道磁阻MEMS加速度计结构及控制方法在审
| 申请号： | 201911391370.1 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111077343A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 张瑞;李孟委;宫美梅;金丽;辛晨光 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | G01P15/105 | 分类号： | G01P15/105 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 申绍中 |
| 地址： | 030051 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明属于加速度计技术领域，具体涉及一种基于磁膜的隧道磁阻MEMS加速度计结构及控制方法，底层结构包括整体支撑框架、加速度计检测梁、质量块，加速度计检测梁固定在整体支撑框架的内侧面，质量块通过加速度计检测梁固定在整体支撑框架的中央，中层结构包括磁膜阵列，磁膜阵列键合在质量块上，磁阻支撑框架固定在整体支撑框架的上方，磁阻基板通过支撑梁固定在磁阻支撑框架上，磁阻基板设置在质量块的正上方，磁阻基板上固定有隧道磁阻元件。本发明提出的加速度计利用磁膜阵列产生高变化率磁场，不需要外加激励，具有结构简单、灵敏度高、可靠性好，寿命长、制作成本低，功耗低等特点。本发明用于加速度的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 隧道 磁阻 mems 加速度计 结构 控制 方法 | ||
【主权项】：
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