[发明专利]非完整晶圆处理方法、装置、设备及介质有效
| 申请号： | 201911391864.X | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111128807B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 樊锦军;王海升;曾斌 | 申请（专利权）人： | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/304 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 266104 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非完整晶圆处理方法、装置、设备及介质，该方法包括：在检测到非完整晶圆时，获取所述非完整晶圆的破损区域；确定所述破损区域各个破损缺口的缺口深度，并根据所述缺口深度确定所述非完整晶圆的切割方式；根据所述切割方式对所述非完整晶圆进行切割，得到第一切割晶圆；根据所述第一切割晶圆，确定对应完整实验晶圆的拼接切口，以根据所述拼接切口对所述完整实验晶圆进行切割，得到第二切割晶圆；对所述第一切割晶圆与所述第二切割晶圆进行切口完整拼接处理。本发明解决现有技术中对非完整晶圆进行报废处理造成极大晶圆物料浪费且污染环境的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 完整 处理 方法 装置 设备 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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