[发明专利]用于形成含硅和氧的薄膜的汽相沉积方法有效
| 申请号： | 201911392214.7 | 申请日： | 2016-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN111041456B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 让-马克·吉拉尔;张鹏;安东尼奥·桑切斯;马尼什·坎德尔沃;根纳迪·伊多;里诺·佩萨雷西 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/515;C01B21/087;C01B21/088;C07F7/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李颖;林柏楠 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种含硅和氧的膜的ALD形成方法，该方法包括通过将经单取代的TSA前体的蒸气和含氧反应物依次引入含有基板的反应器中将含硅和氧的膜沉积在该基板上，该经单取代的TSA前体选自(SiH |
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| 搜索关键词： | 用于 形成 薄膜 沉积 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
