[发明专利]一种单光子雪崩二极管及其制备方法

摘要

本发明公开的一种单光子雪崩二极管，包括P型衬底，位于P型衬底上的高压N阱以及高压N阱之间的P型隔离区；位于高压N阱中的N型注入扩散层和P型注入扩散层；位于N型注入扩散层和P型注入扩散层周围的P型保护环和N型接触端；位于P型隔离区上方的浅沟槽隔离；位于浅沟槽隔离和P型保护环之间的环状P型浮置区，当N型接触端施加工作电压时，P型浮置区的耗尽区和浅沟槽隔离的耗尽区部分重合；且P型浮置区的耗尽区和P型保护环的耗尽区不重合；以及覆盖在高压N阱和浅沟槽隔离上方的介质层。本发明提供的一种单电子单光子雪崩二极管及其制备方法，可以增加二极管中感光面积，进而有效提高单电子单光子雪崩二极管的探测效率。