[发明专利]一种锰掺杂二硫化钼量子点材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201911392835.5 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN113122252A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 丘洁龙 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/68 | 分类号： | C09K11/68;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;吴志益 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锰掺杂二硫化钼量子点材料及其制备方法，其中，所述方法包括步骤：将钼盐、锰盐以及含硫有机物分散在有机醇溶剂中形成的初始混合液填充到介孔分子筛的孔隙中，得到前驱体材料；对所述前驱体材料进行煅烧、蚀刻处理后得到锰掺杂二硫化钼材料；对分散在分散介质中的锰掺杂二硫化钼材料进行超声处理制得所述锰掺杂二硫化钼量子点材料。本发明提供的制备方法通过简单地调节材料内部的锰、钼比例，可以实现控制锰掺杂二硫化钼材料的能隙结构，进而改变锰掺杂二硫化钼材料的光电性能，本发明方法操作简单、批次稳定性好，可以批量化制备锰掺杂二硫化钼量子点材料，实现工业化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 二硫化钼 量子 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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