[发明专利]一种半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201911393003.5 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN113130747B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 蔡巧明;王哲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 100176 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，具体地涉及一种半导体结构的形成方法。所述形成方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成堆叠式电容结构，所述堆叠式电容结构包括至少三层电极层以及位于相邻电极层之间的绝缘层，所述电极层以及绝缘层延伸至半导体衬底表面；在所述堆叠式电容结构表面形成包括第一开口的光刻胶层，所述第一开口暴露位于最顶层的电极层；沿所述第一开口执行刻蚀工艺，至暴露下一个电极层；对所述光刻胶层进行部分灰化，以扩大所述第一开口至设定值；沿所述第一开口继续执行刻蚀工艺，至暴露再下一个电极层；重复所述部分灰化工艺及刻蚀工艺至暴露全部电极层；去除所述光刻胶层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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