[发明专利]一种多孔碳化硅薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201911393517.0 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN110983445A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 黄其煜;王舒瑭 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/36;C30B29/64 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 赵晓琳 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种多孔碳化硅薄膜的制备方法，属于微纳加工领域。本发明提供了一种多孔碳化硅薄膜的制备方法，包括以下步骤：使用电化学刻蚀对碳化硅晶片进行阳极氧化，得到多孔碳化硅薄膜。本发明可通过改变电化学刻蚀过程中的外加电压、电流、频率、占空比等参数，能够实现对多孔碳化硅薄膜纳米形貌以及厚度的控制。实施例的数据表明，本发明制得的多孔碳化硅薄膜的的厚度为100纳米～300微米，纳米孔直径为0.5～50纳米，实现了多孔碳化硅薄膜的可控制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 碳化硅 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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