[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201911394517.2 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112018170A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 金宰中;李灿珩;张镇圭;金洛焕;李东洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/78;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张晓;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。所述半导体器件可以包括堆叠在基底上的沟道图案和堆叠在基底上的栅电极。沟道图案包括半导体图案。栅电极延伸以与沟道图案交叉。栅电极可以包括介电层、第一逸出功调整图案和第二逸出功调整图案。介电层可以分别围绕半导体图案、第一逸出功调整图案可以分别围绕介电层，第二逸出功调整图案可以分别围绕第一逸出功调整图案。第一逸出功调整图案可以由含铝的材料形成，第一逸出功调整图案中的每个相应的第一逸出功调整图案接触第二逸出功调整图案中的围绕第一逸出功调整图案中的所述相应的第一逸出功调整图案的对应的一个第二逸出功调整图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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