[发明专利]一种二维金属-半导体范德华异质结阵列的合成及其应用有效
| 申请号： | 201911394739.4 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111146079B | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 段曦东;李佳;杨向东 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82Y30/00;B82Y40/00;C23C14/06;C23C14/22;C23C14/24;C23C16/02;C23C16/30;C23C16/448;C30B23/00;C30B28/14;C30B29/46 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 盛武生;魏娟 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种二维(2D)金属‑半导体垂直范德华异质结(vdWH)阵列合成及其电学器件的制备方法，所述的通过激光刻蚀缺陷来诱导成核和生长2DvdWH阵列的方法可以将不同的材料整合到一起，而不需要满足传统vdWH合成中晶格匹配或者加工兼容性的硬性要求。本发明可以高度灵活地集成具有完全不同的化学成分，晶体结构或晶格取向的材料，以实现奇特的电子特性和新颖的器件功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 金属 半导体 范德华异质结 阵列 合成 及其 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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