[发明专利]带有肖特基结型场板的高电子迁移率晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201911395004.3 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN110943127A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 贺洁;王书昶;张雄;黄飞明;励晔 | 申请（专利权）人： | 无锡硅动力微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/40 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;涂三民 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种带有肖特基结型场板的高电子迁移率晶体管及其制造方法，它包括衬底、缓冲层、势垒层、源极金属、漏极金属、第一钝化层、第二钝化层、P型栅极、栅极金属与肖特基结型场板。本发明结构器件的P型栅极末端处的电场峰值得到了明显的降低，因此本发明结构器件具有更高的可靠性。本发明将肖特基结型场板和栅极金属采用同一种金属、同一步工艺制备完成，使得带有肖特基结型场板的高电子迁移率晶体管制备成本得到了降低，并且可以与传统高电子迁移率晶体管制备工艺相互兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 肖特基结型场板 电子 迁移率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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