[发明专利]一种接触电阻率和沟道迁移率的测试结构和测试方法有效
| 申请号： | 201911395660.3 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111106093B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 陈施施;张新河;杨安丽;温正欣;高博;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;G01R27/20;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件特性测量领域，提出了一种接触电阻率和沟道迁移率的测试结构及测试方法,由若干欧姆接触电极和多组栅氧结构组成,包括N+衬底，其上方依次为N‑外延层，P阱区，若干N+注入区，栅氧化层，栅极，若干欧姆接触电极。其中N+注入区嵌入P阱区内部，且间隔长度依次递增。欧姆接触电极位于N+注入区上方，和N+注入区形成欧姆接触。栅氧化层和栅极分别叠置于P阱区之上，且横跨相邻的N+注入区。本发明还给出了测试图形的制备方法，其制备工艺和碳化硅VDMOSFET器件完全兼容。本发明的测试方法主要包括，首先测试并拟合获得欧姆接触电阻率，接着考虑到高的欧姆接触电阻对器件导通特性的影响，获得准确的MOS沟道端电压，并计算获得准确的沟道载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 电阻率 沟道 迁移率 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
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