[发明专利]一种纳米硅材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201911396836.7 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN113130857B 公开(公告)日: 2023-09-12
发明(设计)人: 赵明才;张娟;汪炜 申请(专利权)人: 江苏载驰科技股份有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/38;H01M10/0525;C01B33/02;C01B33/021;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 南京新慧恒诚知识产权代理有限公司 32424 代理人: 邓唯
地址: 211156 江苏省南京市江宁区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种非晶态/纳米晶复合结构的纳米硅材料。在锂/钠离子电池应用中,晶态硅材料首次嵌锂/钠后,形成非晶态区域(硅锂合金)和晶态区域(未嵌锂)复合结构,产生体积膨胀及结构变化;脱锂/钠后,体积收缩导致结构坍塌,即硅颗粒破裂及粉化。为了预先提供足够的嵌锂/钠空间,抑制首次嵌/脱锂/钠的体积变化,本发明提出一种非晶态/纳米晶复合结构及其可控制备方法,即采用火花放电和高能球磨组合工艺,制备具有非晶态/纳米晶复合结构的纳米硅材料,其中,非晶态区域包围纳米晶,纳米晶的晶面取向随机分布,非晶态区域占比范围可控,属各向同性材料。在锂和钠离子电池应用中,该结构可以有效地缓解因嵌/脱锂/钠导致硅材料膨胀/收缩引起的材料破裂和粉化问题,从而提高硅负极的循环性能。
搜索关键词: 一种 纳米 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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