[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管的制备方法，包括步骤：提供阳极；在所述阳极上形成量子点发光层；在所述量子点发光层上形成电子传输层，所述电子传输层包括叠层设置的ZnO层和ZnMgO层，所述ZnO层靠近所述量子点发光层一侧设置；在所述电子传输层上形成阴极，得到量子点发光二极管。本发明在不引入其他异质材料层的情况下，利用界面势垒可以调控电子注入，实现其与空穴注入的平衡。ZnMgO可调节电子传输层的禁带宽度，调节电子的注入势垒，降低电子的注入效率，可平衡电子‑空穴的注入，达到促进电子‑空穴在量子点发光层内有效的辐射复合的目的，进而提高器件的效率。