[发明专利]一种双金属共掺杂硫化锌薄膜及其制备方法与量子点发光二极管在审
| 申请号： | 201911398455.2 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN113120951A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 郭煜林;吴龙佳;张天朔;李俊杰 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C01G9/08 | 分类号： | C01G9/08;H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双金属共掺杂硫化锌薄膜及其制备方法与量子点发光二极管，其中，所述制备方法包括步骤：将锌盐、铟盐以及银盐分散在有机溶剂中，得到金属盐溶液；将所述金属盐溶液与硫源混合，反应得到铟、银掺杂的硫化锌纳米颗粒溶液；将所述铟、银掺杂的硫化锌纳米颗粒溶液制备成膜，制得双金属共掺杂硫化锌薄膜。本发明通过引入少量In、Ag元素在ZnS纳米颗粒上，替代部分Zn原子，形成新的化学键，通过形成新的化学键来调节ZnS纳米颗粒的本征电子结构，降低ZnS纳米颗粒的电阻率及收窄禁带宽度，使电子更易于跃迁至导带，促进电子从电子传输层进入量子点发光区域，提高电子‑空穴在量子点发光层中的复合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双金属 掺杂 硫化锌 薄膜 及其 制备 方法 量子 发光二极管 | ||
【主权项】：
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