[发明专利]一种制备半导体性碳纳米管阵列薄膜的方法在审
| 申请号： | 201911398594.5 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111056526A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 曹宇;白兰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院空间应用工程与技术中心 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B81C1/00;C01B32/168 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 徐琪琦 |
| 地址： | 100094*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备半导体性碳纳米管阵列薄膜的方法，属于碳纳米管电子学领域。本方法包括：取半导体性碳纳米管，溶解于易挥发有机溶剂中，得半导体性碳纳米管溶液；取与上述易挥发有机溶剂不互溶的第一溶剂，加入到半导体性碳纳米管溶液中，混匀后静置，待第一溶剂在碳纳米管溶液上形成清晰的两相界面后脱泡，得两相溶液；取基底，清洗烘干后，垂直浸入两相溶液中，再将基底从两相溶液中垂直拉出；清洗、吹干基底，得半导体性碳纳米管阵列薄膜。本发明制备的半导体性碳纳米管阵列薄膜，定向一致，排列均匀，重复性好，阵列密度高达100‑200根/μm，可提高碳纳米管器件的驱动电流等性能，推动碳纳米管阵列的产业化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 半导体 纳米 阵列 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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